Характеристики некоторых фоторезистов применяемых в промышленности

Фоторезисты ФП-383 и ФП-383М (ТУ 6-14-632-86)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, металлизированных шаблонов, шкал, сеток, печатных плат.

No
Характеристики
Норма

1
Внешний вид фоторезиста
Жидкость красно-корич цвета без осадка

2
Внешний вид пленки фоторезиста
Гладкая без разрывов

3
Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более
2,0

4
Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек
6,0 — 6,5

5
Разрешаюшая способность, мкм, не более
2,0

6
Толщина пленки фоторезиста, мкм
1,0 — 1,2

7
Число оборотов при нанесении, об/мин
3000,0

8
Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее
3,0

9
Проявитель
2% раствор в воде Na3PO4

Фоторезист ФП-25 (ТУ 6-14-531-89)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых интегральных приборов и микросхем с глубинным травлением германия и кремния, гальваническим осаждением металлов.

No
Характеристики
Норма

1
Внешний вид фоторезиста
Жидкость красно-корич цвета без осадка

2
Внешний вид пленки фоторезиста
Гладкая без разрывов

5
Разрешаюшая способность, мкм, не более
20,0

6
Толщина пленки фоторезиста, мкм
6 — 8

8
Устойчивость пленки фоторезиста к травителю для кремния (HF+HNO3+CH3COOH — 1:10:1), не менее, минут
14,0

9
Проявитель
0,5% водный раствор КОН

Фоторезист ФП-РН-7С (ТУ 6-36-00206842-27-93)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов, шкал, сеток.

No
Характеристики
Норма

1
Внешний вид фоторезиста
Жидкость красно-корич цвета без осадка

2
Внешний вид пленки фоторезиста
Гладкая без разрывов

3
Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более
1,5

4
Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек
2,0 — 2,5

5
Разрешаюшая способность, мкм, не более
2,5

6
Толщина пленки фоторезиста, мкм
0,7 — 1,1

7
Число оборотов при нанесении, об/мин
2500,0

8
Контраст проявления пленки, отн. ед., не менее
90,0

Фоторезист ФП-4-04 марка В (ТУ 6-14-1092-88)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве полупроводниковых приборов, больших и сверхбольших интегральных схем с использованием контактного и проекционного экспонирования в области длин волн 300-405 нм. Выпускается трех марок А, В и С

No
Характеристики
Норма

марка A
марка B
марка C

1
Внешний вид фоторезиста
Жидкость красно-корич цвета без осадка

2
Внешний вид пленки фоторезиста
Гладкая без разрывов

3
Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более
2,0
2,0
2,0

4
Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек
4,5
15,0
21,5

5
Разрешаюшая способность, мкм, не более
2,0
2,0
2,0

6
Толщина пленки фоторезиста, мкм
0,5
1,5
2,0

7
Число оборотов при нанесении, об/мин
3000,0
3000,0
3000,0

8
Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее
10,0
12,0
15,0

9
Локальная разнотолщинность пленки, нм, не более
20
30
40

10
Светочувствительность, мдж/см2, не более
60
120
150

Фоторезист ФП-27-18БС марка А (ТУ 6-14-424-88)

Предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве печатных плат, микросхем, сеток, шкал, масок с применением гальванической обработки.

No
Характеристики
Норма

1
Внешний вид фоторезиста
Жидкость красно-корич цвета без осадка

2
Внешний вид пленки фоторезиста
Гладкая без разрывов

3
Относительная скорость фильтрации, отн. ед., не более
17,0 — 20,0

5
Разрешаюшая способность, мкм, не более
100,0

6
Толщина пленки фоторезиста, мкм
2,6 — 3,4

9
Проявитель
0,6% раствор КОН в воде

10
Светочувствительность, мдж/см2, не хуже
150,0

Фоторезисты ФП-051К и ФП-051Т

Фоторезист ФП-051К (ТУ 6-14-920-86) предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве БИС на подложках с рельефом.

Фоторезист ФП-051Т (ТУ 6-14-919-86) предназначен для реализации фотолитографических процессов в производстве больших интегральных схем

No
Характеристики
Норма

ФП-051К
ФП-051Т

1
Внешний вид фоторезиста
Жидкость красно-корич цвета без осадка

2
Внешний вид пленки фоторезиста
Гладкая без разрывов

4
Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек
55,0
15,5 — 19,5

5
Разрешаюшая способность, мкм, не более
2,0
2,0

6
Толщина пленки фоторезиста, мкм
1,9 — 2,3
1,3

8
Устойчивость пленки фоторезиста к проявителю, мин., не менее
30,0
15,0

9
Проявитель
0,6% раствор КОН в воде

Фоторезисты ФН-11Су и ФН-11СКу (ТУ Р-11433386-4-О-92)

Предназначены для реализации фотолитографичексих процессов в производстве интегральных микросхем, масок, гибких выводных рамок на основе фольгированных диэлектриков, печатных микроплат, форм, и других изделий с использованием кислых и щелочных травителей металлов и сплавов (медь, алюминий, нихром и др.), для гальванического осаждения металлов.

No
Характеристики
Норма

ФН-11Су
ФН-11СКу

1
Внешний вид фоторезиста
Прозрачная жидкость коричневого цвета

2
Внешний вид пленки фоторезиста
Гладкая без разрывов

4
Кинематическая вязкость при (20+0,5) °C мм2/сек
13+3
150+10

5
Разрешаюшая способность, мкм, не более
8,0
8,0

9
Проявитель
Уайт-спирит

Источник

Оставить комментарий

Вы можете использовать следующие теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>